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基于第三代半导体技术的电力电子应用发展浅析

黄灵钟

国民核生化灾害防护国家重点实验室

第三代半导体材料因具有的宽禁带、高热导率、高抗辐射能力以及高电子饱和迁移速率和高击穿电场等性质，更适合被制造为耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，其被认为是制造新一代光电子器件、微波射频器件、电力电子器件的理想半导体材料。本文从政策、市场等方面总结了国内第三代半导体的发展趋势，探讨了其在电动汽车、特高压直流输电、光伏发电和新能源制氢等场景中的应用并讨论了第三代半导体产业持续发展对电力电子的后续影响。
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【栏　目】 电子技术
【分　类】 工程技术 电信技术
【关键词】 第三代半导体 电力电子 SiC GaN
【出　处】 《新潮电子》2023年12期 第43-45页 （共3页）

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新潮电子（2023年12期）

导出/参考文献
[1]黄灵钟. 基于第三代半导体技术的电力电子应用发展浅析[J]. 新潮电子 . 2023(12): 43-45.

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《基于第三代半导体技术的电力电子应用发展浅析》

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